SIHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 202W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.29 EUR |
| 16+ | 15.2 EUR |
| 17+ | 13.22 EUR |
| 50+ | 12.96 EUR |
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Technische Details SIHH24N65EF-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 202W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm.
Weitere Produktangebote SIHH24N65EF-T1-GE3 nach Preis ab 8.51 EUR bis 20.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SIHH24N65EF-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 202W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SiHH24N65EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
auf Bestellung 2893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHH24N65EF-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 202W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 15+ | 17.29 EUR |
| 16+ | 15.2 EUR |
| 17+ | 13.22 EUR |
| 50+ | 12.96 EUR |
| SiHH24N65EF-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
auf Bestellung 2893 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.53 EUR |
| 10+ | 18.64 EUR |
| 1000+ | 8.51 EUR |