SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 14.33 EUR |
| 10+ | 12.78 EUR |
| 1000+ | 6.99 EUR |
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Technische Details SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SiHH24N65EF-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIHH24N65EF-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHH24N65EF-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH24N65EF-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.158 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SiHH24N65EF-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SiHH24N65EF-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |