Technische Details SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHJ10N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.313 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 10, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 89, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.313, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 4.5, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHJ10N60E-T1-GE3 nach Preis ab 2.57 EUR bis 6.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 11903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHJ10N60E-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L |
auf Bestellung 10142 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHJ10N60E-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
auf Bestellung 11903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.94 EUR |
| 10+ | 4.53 EUR |
| 50+ | 3.5 EUR |
| 100+ | 3.17 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| SIHJ10N60E-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
auf Bestellung 10142 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 6.97 EUR |
| 10+ | 3.53 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.62 EUR |
| 3000+ | 2.57 EUR |