Produkte > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHK045N60E-T1-GE3
SIHK045N60E-T1-GE3

SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sihk045n60e.pdf
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 1227 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+14.66 EUR
10+10.33 EUR
100+9.01 EUR
500+8.92 EUR
2000+7.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIHK045N60E-T1-GE3 nach Preis ab 9.44 EUR bis 18.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIHK045N60E-T1-GE3 SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihk045n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.88 EUR
10+11.36 EUR
100+9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018159341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 SIHK045N60E-T1-GE3 VISHAY sihk045n60e.pdf Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 Siliconix sihk045n60e.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+18.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
SIHK045N60E-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerBSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+15.88 EUR
10+11.36 EUR
100+9.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 VISH-S-A0018159341-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHK045N60E-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 278W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
SIHK045N60E-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK045N60E-T1-GE3 sihk045n60e.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+18.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH