SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 16.65 EUR |
| 10+ | 11.92 EUR |
| 100+ | 9.56 EUR |
| 500+ | 8.58 EUR |
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Technische Details SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.043 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 278W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIHK045N60E-T1-GE3 nach Preis ab 8.68 EUR bis 17.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SIHK045N60E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 600V |
auf Bestellung 1924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHK045N60E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.043 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHK045N60E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK045N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.043 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 278W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHK045N60E-T1-GE3 | Hersteller : Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; +/-30V; 49mOhm; 48A; 278W; -55°C~150°C; SIHK045N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIHK045N60E-T1-GE3 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| SIHK045N60E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 48A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHK045N60E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 278W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 98nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 138A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHK045N60E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4013 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHK045N60E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; Idm: 138A; 278W Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 278W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 98nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 138A Mounting: SMD |
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