SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.40 EUR |
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| 500+ | 0.90 EUR |
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Technische Details SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.045 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHK045N60EF-T1-GE3 nach Preis ab 9.92 EUR bis 16.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SIHK045N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V |
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SIHK045N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES |
auf Bestellung 3434 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHK045N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.045 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIHK045N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.045 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHK045N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 9-Pin(8+Tab) PowerPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHK045N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Case: PowerPAK® 1012 On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 133A Drain current: 30A Power dissipation: 278W Gate-source voltage: ±30V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHK045N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHK045N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 133A; 278W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Case: PowerPAK® 1012 On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 133A Drain current: 30A Power dissipation: 278W Gate-source voltage: ±30V |
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