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SIHK045N60EF-T1-GE3

SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors


Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V MOSFET
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Technische Details SIHK045N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY sihk045n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIHK045N60EF-T1GE3 SIHK045N60EF-T1GE3 VISHAY sihk045n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIHK045N60EF-T1GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIHK045N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES
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SIHK045N60EF-T1GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK045N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.052 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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