| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.27 EUR |
| 10+ | 13.28 EUR |
| 100+ | 10.16 EUR |
| 1000+ | 9.59 EUR |
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Technische Details SIHK050N65E-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHK050N65E-T1-GE3 nach Preis ab 11.51 EUR bis 21.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIHK050N65E-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHK050N65E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHK050N65E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.65 EUR |
| 14+ | 17.68 EUR |
| 16+ | 14.08 EUR |
| 50+ | 12.91 EUR |
| 100+ | 11.73 EUR |
| 250+ | 11.51 EUR |
| SIHK050N65E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.65 EUR |
| 14+ | 17.68 EUR |
| 16+ | 14.08 EUR |
| 50+ | 12.91 EUR |
| 100+ | 11.73 EUR |
| 250+ | 11.51 EUR |