Produkte > VISHAY > SIHK050N65E-T1-GE3
SIHK050N65E-T1-GE3

SIHK050N65E-T1-GE3 Vishay


Hersteller: Vishay
MOSFETs PWRPK 650V 45A N CHAN
auf Bestellung 1839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+15.15 EUR
10+11.49 EUR
100+9.57 EUR
500+8.94 EUR
2000+7.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIHK050N65E-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIHK050N65E-T1-GE3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHK050N65E-T1-GE3 SIHK050N65E-T1-GE3 Hersteller : VISHAY Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH