| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 16.19 EUR |
| 10+ | 11.16 EUR |
| 100+ | 8.54 EUR |
| 1000+ | 8.06 EUR |
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Technische Details SIHK050N65E-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHK050N65E-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIHK050N65E-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIHK050N65E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK050N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.055 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHK050N65E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| SIHK050N65E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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