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SIHK055N60EF-T1GE3

SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay

sihk055n60ef.pdf Hersteller: Vishay
MOSFETs TOLL 600V 40A E SERIES
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Technische Details SIHK055N60EF-T1GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHK055N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.05 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SIHK055N60EF-T1GE3 nach Preis ab 7.58 EUR bis 15.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHK055N60EF-T1GE3 SIHK055N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihk055n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3667 pF @ 100 V
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SIHK055N60EF-T1GE3 SIHK055N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY sihk055n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHK055N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.05 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
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SIHK055N60EF-T1GE3 SIHK055N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY sihk055n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHK055N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.05 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
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SIHK055N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay sihk055n60ef.pdf SIHK055N60EF-T1GE3
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SIHK055N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY sihk055n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 110A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 236W
Case: PowerPAK® 1012
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHK055N60EF-T1GE3 SIHK055N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihk055n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3667 pF @ 100 V
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SIHK055N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY sihk055n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 110A; 236W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 236W
Case: PowerPAK® 1012
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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