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SIHK075N60EF-T1GE3

SIHK075N60EF-T1GE3 Vishay

sihk075n60ef.pdf Hersteller: Vishay
MOSFETs PWRPK 600V 33A EF SERIES
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Technische Details SIHK075N60EF-T1GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHK075N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.061 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHK075N60EF-T1GE3 SIHK075N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihk075n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2954 pF @ 100 V
auf Bestellung 1926 Stücke:
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SIHK075N60EF-T1GE3 SIHK075N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY 3750942.pdf Description: VISHAY - SIHK075N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.061 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHK075N60EF-T1GE3 SIHK075N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY 3750942.pdf Description: VISHAY - SIHK075N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.061 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
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SIHK075N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay sihk075n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A
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SIHK075N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY sihk075n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 97A; 192W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 97A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHK075N60EF-T1GE3 SIHK075N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihk075n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2954 pF @ 100 V
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SIHK075N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY sihk075n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 97A; 192W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 192W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 97A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1012
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