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Technische Details SIHK110N65SF-T1GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHK110N65SF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 34 A, 0.11 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 329W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: SF Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Weitere Produktangebote SIHK110N65SF-T1GE3 nach Preis ab 4.8 EUR bis 13.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIHK110N65SF-T1GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 650V |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHK110N65SF-T1GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 650V |
auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHK110N65SF-T1GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK110N65SF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 34 A, 0.11 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 329W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: SF Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHK110N65SF-T1GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Description: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.44 EUR |
| 10+ | 7.66 EUR |
| 50+ | 6.05 EUR |
| 100+ | 5.52 EUR |
| 500+ | 5.09 EUR |
| SIHK110N65SF-T1GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 650V
MOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.5 EUR |
| 10+ | 6.07 EUR |
| 100+ | 5.55 EUR |
| 500+ | 5.11 EUR |
| 1000+ | 4.94 EUR |
| 2000+ | 4.8 EUR |
| SIHK110N65SF-T1GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK110N65SF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 34 A, 0.11 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 329W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
Description: VISHAY - SIHK110N65SF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 34 A, 0.11 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: SF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.72 EUR |
| 33+ | 7.18 EUR |