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SIHK125N60EF-T1-GE3

SIHK125N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 2.3 mO a. 10V, 3.35 mO a. 4.5V
auf Bestellung 18050 Stücke:
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Technische Details SIHK125N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.109 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihk125n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihk125n60ef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
auf Bestellung 2050 Stücke:
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3+8.78 EUR
10+7.06 EUR
100+5.71 EUR
500+4.96 EUR
1000+4.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sihk125n60ef.pdf MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1525 Stücke:
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Anzahl Preis
1+8.82 EUR
10+7.41 EUR
25+6.99 EUR
100+5.98 EUR
250+5.65 EUR
500+5.32 EUR
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SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY 3763647.pdf Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.109 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHK125N60EF-T1GE3 SIHK125N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY 3763647.pdf Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.109 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SIHK125N60EF-T1GE3 Hersteller : Vishay sihk125n60ef.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 9-Pin(8+Tab) PowerPAK T/R
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SIHK125N60EF-T1GE3 Hersteller : VISHAY sihk125n60ef.pdf SIHK125N60EF-T1GE3 SMD N channel transistors
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