SIHK125N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 2.3 mO a. 10V, 3.35 mO a. 4.5V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.81 EUR |
| 10+ | 3.44 EUR |
| 100+ | 2.76 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| 1000+ | 1.87 EUR |
| 3000+ | 1.67 EUR |
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Technische Details SIHK125N60EF-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 132W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHK125N60EF-T1-GE3 nach Preis ab 4.32 EUR bis 12.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIHK125N60EF-T1GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHK125N60EF-T1GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHK125N60EF-T1GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHK125N60EF-T1GE3 | Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHK125N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 4.74 EUR |
| 500+ | 4.56 EUR |
| 1000+ | 4.47 EUR |
| SIHK125N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHK125N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.125 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.34 EUR |
| 37+ | 6.35 EUR |
| 100+ | 4.74 EUR |
| 500+ | 4.56 EUR |
| 1000+ | 4.47 EUR |
| SIHK125N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.47 EUR |
| 10+ | 7.6 EUR |
| 100+ | 5.55 EUR |
| 500+ | 5.02 EUR |
| 1000+ | 4.71 EUR |
| 2000+ | 4.32 EUR |
| SIHK125N60EF-T1GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1863 pF @ 100 V
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.04 EUR |
| 10+ | 8.07 EUR |
| 100+ | 5.82 EUR |
| 500+ | 5.4 EUR |