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SIHK155N60E-T1-GE3

SIHK155N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihk155n60e.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+3.70 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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Technische Details SIHK155N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHK155N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.135 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIHK155N60E-T1-GE3 nach Preis ab 4.17 EUR bis 9.42 EUR

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Preis
SIHK155N60E-T1-GE3 SIHK155N60E-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihk155n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+8.80 EUR
10+6.33 EUR
100+4.57 EUR
500+4.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SIHK155N60E-T1-GE3 SIHK155N60E-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sihk155n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3970 Stücke:
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Anzahl Preis
1+9.42 EUR
10+6.86 EUR
100+4.95 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.42 EUR
2000+4.17 EUR
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SIHK155N60E-T1-GE3 SIHK155N60E-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sihk155n60e.pdf Description: VISHAY - SIHK155N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.135 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHK155N60E-T1-GE3 SIHK155N60E-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sihk155n60e.pdf Description: VISHAY - SIHK155N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.135 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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