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SIHK155N60EF-T1GE3

SIHK155N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

sihk155n60ef.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Technische Details SIHK155N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm.

Weitere Produktangebote SIHK155N60EF-T1GE3 nach Preis ab 3.76 EUR bis 12.15 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHK155N60EF-T1GE3 SIHK155N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix sihk155n60ef.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.91 EUR
10+8.02 EUR
100+5.78 EUR
500+5.38 EUR
1000+5.19 EUR
2000+5.09 EUR
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SIHK155N60EF-T1GE3 SIHK155N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk155n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
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SIHK155N60EF-T1GE3 SIHK155N60EF-T1GE3 VISHAY VISH-S-A0018565953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHK155N60EF-T1GE3 SIHK155N60EF-T1GE3 VISHAY VISH-S-A0018565953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHK155N60EF-T1GE3 VISHAY sihk155n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 18A; 156W
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 38nC
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
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AnzahlPrivatkunde
1+11.91 EUR
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SIHK155N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
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SIHK155N60EF-T1GE3 VISH-S-A0018565953-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHK155N60EF-T1GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
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SIHK155N60EF-T1GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
auf Bestellung 2050 Stücke:
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 18A; 156W
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 38nC
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
auf Bestellung 2000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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