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SIHK155N60EF-T1GE3

SIHK155N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

sihk155n60ef.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2000+3.65 EUR
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Technische Details SIHK155N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIHK155N60EF-T1GE3 nach Preis ab 3.16 EUR bis 9.91 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHK155N60EF-T1GE3 SIHK155N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix sihk155n60ef.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.36 EUR
10+6.3 EUR
100+4.54 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.28 EUR
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SIHK155N60EF-T1GE3 SIHK155N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihk155n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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10+6.65 EUR
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500+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SIHK155N60EF-T1GE3 SIHK155N60EF-T1GE3 VISHAY sihk155n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHK155N60EF-T1GE3 SIHK155N60EF-T1GE3 VISHAY sihk155n60ef.pdf Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHK155N60EF-T1GE3 VISHAY sihk155n60ef.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 18A; 156W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 38nC
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 600V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+3.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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SIHK155N60EF-T1GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 3362 Stücke:
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Anzahl Preis
1+9.36 EUR
10+6.3 EUR
100+4.54 EUR
500+4.52 EUR
1000+4.28 EUR
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Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 100 V
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Description: VISHAY - SIHK155N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.159 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 18A; 156W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: N
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 38nC
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 600V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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