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SIHLZ24L-GE3 VISHAY


Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details SIHLZ24L-GE3 VISHAY

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 68A, Power dissipation: 60W, Case: I2PAK; TO262, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: THT, Gate charge: 18nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SIHLZ24L-GE3 SIHLZ24L-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix MOSFET
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SIHLZ24L-GE3 Hersteller : VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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