Technische Details SIHP052N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF IV Gen, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHP052N60EF-GE3 nach Preis ab 5.52 EUR bis 14.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIHP052N60EF-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF IV Gen productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP052N60EF-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET EF SERIES TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V |
auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SIHP052N60EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF IV Gen
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHP052N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-220AB
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Produktpalette: EF IV Gen
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 13.61 EUR |
| 25+ | 9.63 EUR |
| 36+ | 6.08 EUR |
| 50+ | 5.59 EUR |
| 100+ | 5.57 EUR |
| 250+ | 5.52 EUR |
| SIHP052N60EF-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET EF SERIES TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
Description: MOSFET EF SERIES TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 100 V
auf Bestellung 896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.64 EUR |
| 50+ | 7.9 EUR |
| 100+ | 7.25 EUR |
| 500+ | 6.1 EUR |