SIHP054N65E-GE3 Vishay / Siliconix
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 14.26 EUR |
| 10+ | 9.79 EUR |
| 100+ | 7.88 EUR |
| 1000+ | 6.71 EUR |
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Technische Details SIHP054N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: ITO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHP054N65E-GE3 nach Preis ab 7.09 EUR bis 14.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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SIHP054N65E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V |
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SIHP054N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: ITO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIHP054N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP054N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.058 ohm, ITO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: ITO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP054N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP054N65E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3769 pF @ 100 V |
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