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SIHP11N80AE-GE3

SIHP11N80AE-GE3 VISHAY

sihp11n80ae.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 42nC
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Technische Details SIHP11N80AE-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm.

Weitere Produktangebote SIHP11N80AE-GE3 nach Preis ab 1.82 EUR bis 5.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
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SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp11n80ae.pdf MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
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SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 VISHAY VISH-S-A0010452960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
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SIHP11N80AE-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
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SIHP11N80AE-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
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SIHP11N80AE-GE3 VISH-S-A0010452960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHP11N80AE-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP11N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.391 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.391ohm
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