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SIHP15N50E-GE3

SIHP15N50E-GE3 Vishay Siliconix

sihp15n50e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
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Technische Details SIHP15N50E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP15N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14.5 A, 0.243 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 14.5, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 156, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 156, Bauform - Transistor: TO-220AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.243, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.243, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote SIHP15N50E-GE3 nach Preis ab 1.86 EUR bis 5.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Vishay Semiconductors sihp15n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
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1+5.65 EUR
10+2.81 EUR
100+2.53 EUR
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SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
auf Bestellung 26 Stücke:
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SIHP15N50E-GE3
Hersteller: VISHAY
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 66nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
auf Bestellung 26 Stücke:
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