SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
auf Bestellung 928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.91 EUR |
| 10+ | 3.51 EUR |
| 100+ | 2.60 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
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Technische Details SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.263 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.263ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIHP17N80AEF-GE3 nach Preis ab 2.04 EUR bis 5.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SIHP17N80AEF-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP17N80AEF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.263 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.263ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHP17N80AEF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 15A Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHP17N80AEF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 305mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHP17N80AEF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 305mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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