SIHP18N50C-E3 Vishay Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.89 EUR |
| 10+ | 4.49 EUR |
| 100+ | 3.28 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| 2000+ | 2.37 EUR |
| 5000+ | 2.15 EUR |
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Technische Details SIHP18N50C-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote SIHP18N50C-E3 nach Preis ab 3.96 EUR bis 8.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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SIHP18N50C-E3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP18N50C-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 18A; 223W; TO220-3; single transistor Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Power dissipation: 223W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: single transistor |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHP18N50C-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.5 EUR |
| 59+ | 3.96 EUR |
| SIHP18N50C-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 18A; 223W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 223W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 500V; 18A; 223W; TO220-3; single transistor
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 223W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
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