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SIHP18N50C-E3

SIHP18N50C-E3 VISHAY

sihp18n5.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 18A; 223W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 223W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
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Technische Details SIHP18N50C-E3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHP18N50C-E3 SIHP18N50C-E3 Vishay Semiconductors sihp18n5.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 5941 Stücke:
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1+6.89 EUR
10+4.49 EUR
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SIHP18N50C-E3 SIHP18N50C-E3 VISHAY sihp18n5.pdf Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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59+3.96 EUR
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SIHP18N50C-E3
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Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
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MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
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