SiHP24N65E-E3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 9.19 EUR |
| 10+ | 7.71 EUR |
| 25+ | 6.05 EUR |
| 100+ | 5.32 EUR |
| 250+ | 5.26 EUR |
| 500+ | 4.89 EUR |
| 1000+ | 4.47 EUR |
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Technische Details SiHP24N65E-E3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote SiHP24N65E-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIHP24N65E-E3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP24N65E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP24N65E-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHP24N65E-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SiHP24N65E-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |