Weitere Produktangebote SIHP25N50E-GE3 nach Preis ab 2.41 EUR bis 6.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SIHP25N50E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 1878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP25N50E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP25N50E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP25N50E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHP25N50E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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| 5A Led drive Produktcode: 95797
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Netzteile und Ladegeräte > Blocks DC_DC Wandler
Spannung. in., V: Funktion der Strombegranzung, Kurzschlusssicherheit, Nutzungsgrad 96%, Ausgangsstrom 0...5A, kann benutzt werden als Ladegerat fur Li-Po
Spannung. out,VDC: 6...38V
Maximaler Ausgangsstrom: 1,25...36VDC
Gehäuse, Abmessungen, mm: 5000mA
Опис: Функція обмеження струму, захист від КЗ, ККД 96%, вихідний струм 0 ... 5A, можна використовувати в якості ЗП для Li-Po
Spannung. in., V: Funktion der Strombegranzung, Kurzschlusssicherheit, Nutzungsgrad 96%, Ausgangsstrom 0...5A, kann benutzt werden als Ladegerat fur Li-Po
Spannung. out,VDC: 6...38V
Maximaler Ausgangsstrom: 1,25...36VDC
Gehäuse, Abmessungen, mm: 5000mA
Опис: Функція обмеження струму, захист від КЗ, ККД 96%, вихідний струм 0 ... 5A, можна використовувати в якості ЗП для Li-Po
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erwartet:
1800 St.
1200 St. - erwartet 13.06.2026
600 St. - erwartet 12.06.2026
600 St. - erwartet 12.06.2026
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.8 EUR |