| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.61 EUR |
| 10+ | 12.17 EUR |
| 100+ | 11.69 EUR |
| 500+ | 11.47 EUR |
| 1000+ | 6.43 EUR |
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Technische Details SIHP28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm.
Weitere Produktangebote SIHP28N65EF-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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SIHP28N65EF-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.117 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm |
auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIHP28N65EF-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
Description: VISHAY - SIHP28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
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