SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 3.17 EUR |
| 50+ | 1.60 EUR |
| 100+ | 1.50 EUR |
| 500+ | 1.20 EUR |
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Technische Details SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIHP6N80AE-GE3 nach Preis ab 1.36 EUR bis 3.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SIHP6N80AE-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHP6N80AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHP6N80AE-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 5A Tube |
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