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SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3 VISHAY

VISH-S-A0013915969-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 78
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Technische Details SIHP7N60E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 7, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 78, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 2, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp7n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
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SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp7n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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500+1.96 EUR
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SIHP7N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
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SIHP7N60E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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