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SIHR080N60E-T1-GE3

SIHR080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

sihr080n60e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
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Technische Details SIHR080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIHR080N60E-T1-GE3 nach Preis ab 5.6 EUR bis 12.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIHR080N60E-T1-GE3 SIHR080N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihr080n60e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 600V
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10+8.32 EUR
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SIHR080N60E-T1-GE3 SIHR080N60E-T1-GE3 VISHAY sihr080n60e.pdf Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 51A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIHR080N60E-T1-GE3 SIHR080N60E-T1-GE3 VISHAY sihr080n60e.pdf Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
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