SIHR080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 11.51 EUR |
| 10+ | 8.34 EUR |
| 100+ | 6.09 EUR |
| 500+ | 5.17 EUR |
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Technische Details SIHR080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.074 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote SIHR080N60E-T1-GE3 nach Preis ab 5.54 EUR bis 11.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SIHR080N60E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8LR, 84 mohm a. 10V |
auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHR080N60E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.074 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHR080N60E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.074 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHR080N60E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
E Series Power MOSFET PowerPAK 8 x 8LR |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHR080N60E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V |
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