SIHU4N80AE-GE3 Vishay Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.7 EUR |
| 50+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.83 EUR |
| 500+ | 1.46 EUR |
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Technische Details SIHU4N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm.
Weitere Produktangebote SIHU4N80AE-GE3 nach Preis ab 1.4 EUR bis 5.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIHU4N80AE-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm |
auf Bestellung 2878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIHU4N80AE-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm
Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
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Bauform - Transistor: TO-251
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm
auf Bestellung 2878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 5.12 EUR |
| 77+ | 3.03 EUR |
| 112+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.4 EUR |