SIHU6N65E-GE3 Vishay / Siliconix
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.29 EUR |
| 10+ | 2.29 EUR |
| 100+ | 1.81 EUR |
| 250+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.30 EUR |
| 3000+ | 1.20 EUR |
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Technische Details SIHU6N65E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHU6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIHU6N65E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIHU6N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHU6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251 (IPAK), DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIHU6N65E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
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| SIHU6N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHU6N65E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V |
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| SIHU6N65E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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