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SIJ128LDP-T1-GE3

SIJ128LDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sij128ldp-2897275.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 80 V
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Technische Details SIJ128LDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
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SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sij128ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
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SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
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SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sij128ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
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SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sij128ldp.pdf SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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