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Technische Details SIJ128LDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 25.5, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 22.3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.3, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIJ128LDP-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 25.5 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 22.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung: 22.3 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 25.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.3W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIJ128LDP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 25.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.3W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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