SIJ4108DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L, 9 mohm a. 10V 8.5 mohm a. 7.5V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.71 EUR |
| 10+ | 2.25 EUR |
| 100+ | 1.8 EUR |
| 250+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| 3000+ | 1.18 EUR |
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Technische Details SIJ4108DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 69.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.
Weitere Produktangebote SIJ4108DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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SIJ4108DP-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 69.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
auf Bestellung 11552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIJ4108DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 69.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
auf Bestellung 11552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIJ4108DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 11552 Stücke:
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| SIJ4108DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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auf Bestellung 11552 Stücke:
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