SIJ4108DP-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 69.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.86 EUR |
| 116+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 5000+ | 1.34 EUR |
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Technische Details SIJ4108DP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 69.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm.
Weitere Produktangebote SIJ4108DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.34 EUR bis 4.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIJ4108DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 10058 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIJ4108DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 69.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm |
auf Bestellung 11552 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ4108DP-T1-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 10058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.71 EUR |
| 10+ | 2.32 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 3000+ | 1.45 EUR |
| SIJ4108DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
Description: VISHAY - SIJ4108DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56.7 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 11552 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 53+ | 4.77 EUR |
| 82+ | 2.86 EUR |
| 116+ | 1.86 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 5000+ | 1.34 EUR |