SIJ4406DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.83 EUR |
| 10+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 3000+ | 0.79 EUR |
| 6000+ | 0.73 EUR |
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Technische Details SIJ4406DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 41.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm.
Weitere Produktangebote SIJ4406DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.2 EUR bis 4.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIJ4406DP-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 41.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm |
auf Bestellung 5614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJ4406DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 41.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm |
auf Bestellung 5614 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ4406DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 4.32 EUR |
| 103+ | 2.26 EUR |
| 139+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 5000+ | 1.2 EUR |
| SIJ4406DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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| 100+ | 4.32 EUR |
| 103+ | 2.26 EUR |
| 139+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.46 EUR |
| 5000+ | 1.2 EUR |