SIJ4406DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.83 EUR |
| 10+ | 1.8 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.93 EUR |
| 3000+ | 0.79 EUR |
| 6000+ | 0.73 EUR |
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Technische Details SIJ4406DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SIJ4406DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.23 EUR bis 3.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIJ4406DP-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJ4406DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ4406DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.82 EUR |
| 106+ | 2.2 EUR |
| 139+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| 5000+ | 1.23 EUR |
| SIJ4406DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SIJ4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 3.82 EUR |
| 106+ | 2.2 EUR |
| 139+ | 1.55 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| 5000+ | 1.23 EUR |