SIJ4819DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.91 EUR |
| 10+ | 3.19 EUR |
| 100+ | 2.22 EUR |
| 500+ | 1.78 EUR |
| 1000+ | 1.72 EUR |
| 3000+ | 1.62 EUR |
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Technische Details SIJ4819DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIJ4819DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIJ4819DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 73.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJ4819DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ4819DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44.4 A, 0.0207 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 73.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0207ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJ4819DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -62A; Idm: -145A Technology: TrenchFET® Case: PowerPAK® SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -145A Drain-source voltage: -80V Drain current: -62A Gate charge: 69nC On-state resistance: 38mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 145W Kind of package: reel; tape |
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