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SIJA52ADP-T1-GE3

SIJA52ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sija52adp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
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Technische Details SIJA52ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sija52adp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
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SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sija52adp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41.6A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
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Produktcode: 211395
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SIJA52ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sija52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIJA52ADP-T1-GE3 SIJA52ADP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sija52adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
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SIJA52ADP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sija52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 131A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 48W
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
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