SIJA54ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 3.04 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 250+ | 1.87 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
| 3000+ | 1.34 EUR |
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Technische Details SIJA54ADP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIJA54ADP-T1-GE3 nach Preis ab 3 EUR bis 17.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIJA54ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIJA54ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 6050 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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SIJA54ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJA54ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJA54ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE |
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