SIJA54ADP-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2 EUR |
| 1000+ | 1.87 EUR |
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Technische Details SIJA54ADP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 126A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 65.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.
Weitere Produktangebote SIJA54ADP-T1-GE3 nach Preis ab 1.59 EUR bis 20.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIJA54ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 18030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIJA54ADP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIJA54ADP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 126A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 65.7W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
auf Bestellung 5990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJA54ADP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 6050 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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| SIJA54ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 18030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 3.62 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 250+ | 2.23 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.88 EUR |
| 3000+ | 1.59 EUR |
| SIJA54ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Description: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 6+ | 3.97 EUR |
| 10+ | 3.57 EUR |
| SIJA54ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: VISHAY - SIJA54ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 126 A, 2300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 5990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 40+ | 6.3 EUR |
| 76+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2 EUR |
| 1000+ | 1.87 EUR |
| SIJA54ADP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 6050 Stücke:
Lieferzeit 375-379 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 20.59 EUR |
| 10+ | 18.62 EUR |
| 100+ | 15.41 EUR |
| 500+ | 13.42 EUR |
| 1000+ | 11.69 EUR |
| 2000+ | 10.85 EUR |


