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Technische Details SIJH600E-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 373A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIJH600E-T1-GE3 nach Preis ab 5.39 EUR bis 12.80 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V |
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SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 373A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJH600E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 373 A, 0.00065 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 373A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
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SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 37A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIJH600E-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIJH600E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 373A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 30 V |
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