SIJK5100E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V
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Technische Details SIJK5100E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 417A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 536W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIJK5100E-T1-GE3 nach Preis ab 5.49 EUR bis 14.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SIJK5100E-T1-GE3 | Vishay |
MOSFETs PWRPK 100V 417A |
auf Bestellung 8538 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIJK5100E-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIJK5100E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 417A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIJK5100E-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 417A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 536W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
auf Bestellung 1399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIJK5100E-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs PWRPK 100V 417A
MOSFETs PWRPK 100V 417A
auf Bestellung 8538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.61 EUR |
| 10+ | 8.51 EUR |
| 100+ | 6.15 EUR |
| 500+ | 5.81 EUR |
| 1000+ | 5.49 EUR |
| SIJK5100E-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 17W (Ta), 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerBSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Ta), 417A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
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Supplier Device Package: PowerPAK®10 x 12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11480 pF @ 50 V
auf Bestellung 8499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.86 EUR |
| 10+ | 8.65 EUR |
| 100+ | 6.27 EUR |
| 500+ | 5.9 EUR |
| SIJK5100E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 417A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 14.79 EUR |
| 23+ | 10.51 EUR |
| 100+ | 7.84 EUR |
| 500+ | 7.41 EUR |
| 1000+ | 7.26 EUR |
| SIJK5100E-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: VISHAY - SIJK5100E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 417 A, 1400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 14.79 EUR |
| 23+ | 10.51 EUR |
| 100+ | 7.84 EUR |
| 500+ | 7.41 EUR |
| 1000+ | 7.26 EUR |