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SIR106DP-T1-RE3

SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

sir106dp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.54 EUR
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Technische Details SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIR106DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.02 EUR bis 6.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0004023718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix sir106dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.83 EUR
100+2.25 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix sir106dp.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.73 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.34 EUR
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SIR106DP-T1-RE3 SIR106DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0004023718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.25 EUR
63+3.71 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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SIR106DP-T1-RE3 Vishay sir106dp.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5644 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.42 EUR
129+1.27 EUR
131+1.2 EUR
136+1.12 EUR
250+1.07 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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SIR106DP-T1-RE3 VISH-S-A0004023718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR106DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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SIR106DP-T1-RE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
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Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6804 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7+3.39 EUR
10+2.83 EUR
100+2.25 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.62 EUR
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MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.92 EUR
10+2.73 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.34 EUR
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SIR106DP-T1-RE3 VISH-S-A0004023718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR106DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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AnzahlPrivatkunde
40+6.25 EUR
63+3.71 EUR
100+2.31 EUR
500+1.95 EUR
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SIR106DP-T1-RE3 sir106dp.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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129+1.27 EUR
131+1.2 EUR
136+1.12 EUR
250+1.07 EUR
500+1.02 EUR
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