SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.64 EUR |
| 6000+ | 0.61 EUR |
| 9000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 50°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR122DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.61 EUR bis 1.56 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SIR122DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V |
auf Bestellung 12554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR122DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 68335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR122DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 50°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 46996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR122DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR122DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR122DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 59.6A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIR122DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 59.6A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 44nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A |
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