SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.64 EUR |
| 6000+ | 0.61 EUR |
| 9000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details SIR122DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 50°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Weitere Produktangebote SIR122DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIR122DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 12554 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR122DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 34325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR122DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 50°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 32922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR122DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 12+ | 1.55 EUR |
| 14+ | 1.26 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.68 EUR |
| SIR122DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 34325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.85 EUR |
| 10+ | 1.47 EUR |
| 100+ | 1.05 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 3000+ | 0.77 EUR |
| SIR122DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 50°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 50°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 32922 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH