SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR150DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SIR150DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK |
auf Bestellung 9914 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR150DP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 4430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 10952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIR150DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 10952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR150DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
MOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 1.19 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 3000+ | 0.58 EUR |
| 6000+ | 0.57 EUR |
| SIR150DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.9 EUR |
| 14+ | 1.3 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.74 EUR |
| 1000+ | 0.67 EUR |
| SIR150DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SIR150DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 10952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)