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SIR150DP-T1-RE3

SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix


sir150dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
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Technische Details SIR150DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 0.00225 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR150DP-T1-RE3 SIR150DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sir150dp.pdf MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
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SIR150DP-T1-RE3 SIR150DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir150dp.pdf Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
auf Bestellung 4430 Stücke:
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Anzahl Preis
10+1.90 EUR
14+1.30 EUR
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1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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SIR150DP-T1-RE3 SIR150DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir150dp.pdf Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 0.00225 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR150DP-T1-RE3 SIR150DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir150dp.pdf Description: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 0.00225 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 9844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SIR150DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir150dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIR150DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir150dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 3.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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