SIR180DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.78 EUR |
| 10+ | 2.43 EUR |
| 100+ | 1.66 EUR |
| 500+ | 1.34 EUR |
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Technische Details SIR180DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2050 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR180DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.5 EUR bis 4.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIR180DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR180DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2050 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR180DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 2050 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 83.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR180DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V |
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