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Technische Details SIR182DP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69.4W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIR182DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.89 EUR bis 4.03 EUR
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 77763 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V |
auf Bestellung 14329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 20529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 20529 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 117A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 64nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIR182DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 117A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 64nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A |
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