SIR182LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.34 EUR |
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Technische Details SIR182LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIR182LDP-T1-RE3 nach Preis ab 1.34 EUR bis 4.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 7799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR182LDP-T1-RE3 | Vishay |
MOSFETs POWRPK N CHAN 60V |
auf Bestellung 8400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SIR182LDP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 83W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR182LDP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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|---|---|
| 6+ | 2.96 EUR |
| 10+ | 2.46 EUR |
| 100+ | 1.96 EUR |
| 500+ | 1.66 EUR |
| 1000+ | 1.41 EUR |
| SIR182LDP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs POWRPK N CHAN 60V
MOSFETs POWRPK N CHAN 60V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.33 EUR |
| 10+ | 2.82 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| 250+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.56 EUR |
| 1000+ | 1.44 EUR |
| 2500+ | 1.34 EUR |
| SIR182LDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4105 Stücke:
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| SIR182LDP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2750µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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