SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.63 EUR |
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Technische Details SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIR186LDP-T1-RE3 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 48nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Drain-source voltage: 60V Drain current: 80.3A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2877 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 On-state resistance: 6.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 48nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Drain-source voltage: 60V Drain current: 80.3A |
auf Bestellung 2877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 60V |
auf Bestellung 11677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V |
auf Bestellung 5837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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