SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 0.61 EUR |
| 6000+ | 0.57 EUR |
| 9000+ | 0.55 EUR |
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Technische Details SIR186LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 57W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR186LDP-T1-RE3 nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs POWRPK N CHAN 60V |
auf Bestellung 11677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V |
auf Bestellung 10417 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 7252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 4400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 7252 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR186LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
auf Bestellung 1295 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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