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SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3 Vishay

sir426dp.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SIR426DP-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir426dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir426dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
auf Bestellung 10650 Stücke:
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6000+0.6 EUR
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sir426dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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100+0.98 EUR
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1000+0.72 EUR
3000+0.66 EUR
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir426dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
auf Bestellung 13624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+1.87 EUR
14+1.29 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000149476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5108 Stücke:
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0000149476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir426dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir426dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
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SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir426dp.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R Automotive AEC-Q101
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SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir426dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 26.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIR426DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir426dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 26.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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