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SIR4406DP-T1-GE3

SIR4406DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix


sir4406dp.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 78A
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Technische Details SIR4406DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, Verlustleistung: 41.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR4406DP-T1-GE3 SIR4406DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4750µohm
auf Bestellung 5680 Stücke:
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SIR4406DP-T1-GE3 SIR4406DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0023700219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR4406DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 78 A, 4750 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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SIR4406DP-T1-GE3
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SIR4406DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
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