SIR4409DP-T1-RE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60.6A
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.88 EUR |
| 121+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |
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Technische Details SIR4409DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIR4409DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.06 EUR bis 4.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIR4409DP-T1-RE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 17.2A |
auf Bestellung 25597 Stücke: Lieferzeit 270-274 Tag (e) |
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SIR4409DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR4409DP-T1-RE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 17.2A
MOSFETs PPAKSO8 P-CH 40V 17.2A
auf Bestellung 25597 Stücke:
Lieferzeit 270-274 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 2.37 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.39 EUR |
| 1000+ | 1.32 EUR |
| 3000+ | 1.06 EUR |
| SIR4409DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR4409DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 60.6 A, 9000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
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Kanaltyp: p-Kanal
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SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 53+ | 4.8 EUR |
| 81+ | 2.88 EUR |
| 121+ | 1.77 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.31 EUR |