SIR4608LDP-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.67 EUR |
| 130+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| 5000+ | 1.07 EUR |
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Technische Details SIR4608LDP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 39W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm.
Weitere Produktangebote SIR4608LDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 4.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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SIR4608LDP-T1-GE3 | Vishay |
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 13.3A |
auf Bestellung 1584 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR4608LDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 39W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm |
auf Bestellung 5370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR4608LDP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 13.3A
MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 13.3A
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.06 EUR |
| 10+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 3000+ | 0.87 EUR |
| 6000+ | 0.83 EUR |
| SIR4608LDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 56+ | 4.5 EUR |
| 87+ | 2.67 EUR |
| 130+ | 1.65 EUR |
| 500+ | 1.31 EUR |
| 1000+ | 1.2 EUR |
| 5000+ | 1.07 EUR |