| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.06 EUR |
| 10+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 3000+ | 0.87 EUR |
| 6000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details SIR4608LDP-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SIR4608LDP-T1-GE3 nach Preis ab 0.87 EUR bis 3.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SIR4608LDP-T1-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR4608LDP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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| SIR4608LDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 3.82 EUR |
| 114+ | 2.03 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 5000+ | 0.87 EUR |
| SIR4608LDP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR4608LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43.4 A, 0.0094 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 5945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.82 EUR |
| 114+ | 2.03 EUR |
| 140+ | 1.54 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 5000+ | 0.87 EUR |