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SIR466DP-T1-GE3

SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sir466dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
auf Bestellung 18000 Stücke:

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Anzahl Preis
3000+0.76 EUR
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Technische Details SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote SIR466DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Anzahl Preis
182+0.83 EUR
183+0.79 EUR
184+0.76 EUR
202+0.66 EUR
250+0.63 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
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SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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166+0.90 EUR
182+0.80 EUR
183+0.76 EUR
184+0.73 EUR
202+0.64 EUR
250+0.60 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 166
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SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sir466dp.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 10789 Stücke:
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2+1.57 EUR
10+1.31 EUR
100+1.06 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.77 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir466dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
auf Bestellung 20509 Stücke:
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7+2.82 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
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SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir466dp.pdf Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sir466dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR466DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir466dp.pdf 1041+ QFN-8
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SIR466DP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sir466dp.pdf SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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