SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.76 EUR |
| 6000+ | 0.71 EUR |
| 9000+ | 0.7 EUR |
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Technische Details SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SIR466DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 10789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR466DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 20509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 6571 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| SIR466DP-T1-GE3 | VISHAY |
1041+ QFN-8 |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR466DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 10789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.31 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.93 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 6000+ | 0.73 EUR |
| SIR466DP-T1-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.19 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.86 EUR |
| SIR466DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 3500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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| SIR466DP-T1-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
1041+ QFN-8
1041+ QFN-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)