SIR474DP-T1-GE3

SIR474DP-T1-GE3

Produktcode: 100039
Hersteller:
Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld

sir474dp.pdf sir474dp.pdf
verfügbar/auf Bestellung

Technische Details SIR474DP-T1-GE3

Preis SIR474DP-T1-GE3 ab 1.28 EUR bis 2.39 EUR

SIR474DP-T1-GE3
SIR474DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
sir474dp.pdf
auf Bestellung 666 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
11+ 2.39 EUR
13+ 2.11 EUR
100+ 1.62 EUR
500+ 1.28 EUR
SIR474DP-T1-GE3
Hersteller:

sir474dp.pdf sir474dp.pdf
2652 Stücke
SIR474DP-T1-GE3
SIR474DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
sir474dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIR474DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
QFN
sir474dp.pdf sir474dp.pdf
890 Stücke
SIR474DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
sir474dp.pdf sir474dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIR474DP-T1-GE3
SIR474DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 20A 29.8W
VISH_S_A0000184340_1-2566678.pdf
auf Bestellung 17 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SIR474DP-T1-GE3
SIR474DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29.8W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
sir474dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIR474DP-T1-GE3
SIR474DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
sir474dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen