SIR474DP-T1-GE3 - Transistoren - Transistoren N-Kanal-Feld
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Technische Details SIR474DP-T1-GE3
Preis SIR474DP-T1-GE3 ab 1.28 EUR bis 2.39 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) 
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auf Bestellung 666 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIR474DP-T1-GE3 Hersteller:
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2652 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SIR474DP-T1-GE3 Hersteller: VISHAY QFN
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890 Stücke |
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SIR474DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 30V 20A 29.8W
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auf Bestellung 17 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 29.8W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8
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