SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIR474DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Gate charge: 27nC, On-state resistance: 12mΩ, Power dissipation: 29.8W, Drain current: 20A, Pulsed drain current: 50A, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 30V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIR474DP-T1-GE3 nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SIR474DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 30V 20A 29.8W |
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| SIR474DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
QFN |
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SIR474DP-T1-GE3 Produktcode: 100039
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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| SIR474DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 27nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 29.8W Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SIR474DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
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| SIR474DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 27nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 29.8W Drain current: 20A Pulsed drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar |
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