Produkte > VISHAY SILICONIX > SIR500DP-T1-RE3
SIR500DP-T1-RE3

SIR500DP-T1-RE3 Vishay Siliconix


sir500dp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
auf Bestellung 1275 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.59 EUR
10+2.42 EUR
100+1.68 EUR
500+1.35 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIR500DP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SIR500DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.15 EUR bis 3.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sir500dp.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 30V
auf Bestellung 13959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.75 EUR
10+2.52 EUR
100+1.72 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
3000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3194646.pdf Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 38958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3194646.pdf Description: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00039ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 38958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir500dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir500dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir500dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay sir500dp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY sir500dp.pdf SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR500DP-T1-RE3 SIR500DP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix sir500dp.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH