SIR5110DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.24 EUR |
| 10+ | 2.75 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.51 EUR |
| 1000+ | 1.41 EUR |
| 3000+ | 1.34 EUR |
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Technische Details SIR5110DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 47.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 59.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.
Weitere Produktangebote SIR5110DP-T1-RE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SIR5110DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 59.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
auf Bestellung 6040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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SIR5110DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 59.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm |
auf Bestellung 6040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SIR5110DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 59.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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| SIR5110DP-T1-RE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Description: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
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Produktpalette: TrenchFET Series
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 6040 Stücke:
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